薄膜トランジスタの製法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005255733
Publication number (International publication number)：2007073559
Application date： Sep. 02, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする酸化物を半導体薄膜層(活性層)として有する薄膜トランジスタにおいて、製造工程を大幅に低温化するとともに、半導体薄膜層と、該半導体薄膜層上に形成した界面制御型ゲート絶縁膜との界面の清浄化を達成することによって、プラスティック基板上に形成した液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス素子(OLED)への応用を可能とした高性能薄膜トランジスタの製法の提供。【解決手段】酸化亜鉛ZnOを主成分とする酸化物からなる半導体薄膜と、シリコン系絶縁膜からなり該半導体薄膜に接するゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタの製法において、前記半導体薄膜の形成と前記ゲート絶縁膜の形成が真空中にて連続した工程で行われ、前記ゲート絶縁膜が、誘導結合方式プラズマ化学気相成長(ICP-CVD)法又は電子サイクロトロン共鳴化学気相成長(ECR-CVD)法により形成され、全製造工程が200°C以下の温度条件下にて行われることを特徴とする薄膜トランジスタの製法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛ZnOを主成分とする酸化物からなる半導体薄膜と、シリコン系絶縁膜からなり該半導体薄膜に接するゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタの製法において、前記半導体薄膜の形成と前記ゲート絶縁膜の形成が真空中にて連続した工程で行われ、前記ゲート絶縁膜が、誘導結合方式プラズマ化学気相成長(ICP-CVD)法又は電子サイクロトロン共鳴化学気相成長(ECR-CVD)法により形成され、全製造工程が200°C以下の温度条件下にて行われることを特徴とする薄膜トランジスタの製法。

IPC (7)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/363 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , C23C 16/30 , C23C 14/08

FI (9)：

H01L29/78 617V , H01L29/78 618B , H01L29/78 627B , H01L21/363 , H01L21/316 X , H01L21/318 B , H01L21/318 C , C23C16/30 , C23C14/08 C

F-Term (84)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA49 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030AA24 , 4K030BA35 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030DA02 , 4K030DA08 , 4K030FA02 , 4K030FA04 , 4K030HA04 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BE10 , 5F058BF07 , 5F058BF09 , 5F058BJ01 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103HH04 , 5F103HH05 , 5F103LL13 , 5F103PP18 , 5F103RR05 , 5F103RR07 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110FF31 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL08 , 5F110HL23 , 5F110NN04 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110QQ08 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-079273 Applicant：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-146907 Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-096983 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (5)

亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-068270 Applicant：新技術事業団
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-081476 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-059905 Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

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