トランジスタの製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (3)：原謙三 , 木島隆一 , 金子一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003146907
Publication number (International publication number)：2004349583
Application date： May. 23, 2003
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：

【課題】酸化亜鉛を半導体素子として用いた場合に、操作が簡便でコスト的に有利なインクジェット法を用いて、酸化亜鉛にダメージを与えたり、表示品位の劣化を招いたりすることなくボトムゲート型のトランジスタを製造する方法を提供する。【解決手段】ガラス基板10上にゲート電極11を所定の形状に形成された後に、ゲート絶縁膜12を積層し、該ゲート絶縁膜12上にソース電極13及びドレーン電極14を配置するボトムゲート型のトランジスタの製造方法において、ソース電極13及びドレーン電極14を所定の形状に形成した後に、酸化亜鉛を含んでなるチャネル層15をインクジェット法にて所定の形状に形成することを特徴としている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁基板上にゲート電極を所定の形状に形成した後に、絶縁層を積層し、該絶縁層上にソース電極及びドレーン電極を配置するボトムゲート型のトランジスタの製造方法において、上記ソース電極及び上記ドレーン電極を所定の形状に形成した後に、酸化亜鉛を含んでなるチャネル層をインクジェット法にて所定の形状に形成することを特徴とするトランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L29/786 , H01L21/336

FI (2)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

F-Term (35)：

5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG33 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-233342 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
電子デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-078148 Applicant：セイコーエプソン株式会社
薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-098805 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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