半導体加速度センサ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安藤淳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002342577
Publication number (International publication number)：2004177220
Application date： Nov. 26, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】精度よく加速度を測定することのできる半導体加速度センサを提供する。【解決手段】錘部8と、その錘部8を離間して外囲するフレーム7と、上記フレーム7に上記錘部8を揺動自在に支持させる薄肉の可撓部6と、その可撓部6の撓み量に応じた電気信号を出力する上記可撓部に形成したピエゾ抵抗9と、上記ピエゾ抵抗9からの出力を取り出す電極とを備えた半導体加速度センサにおいて、上記可撓部6に、その可撓部6の厚み方向に突出する放熱フィン61を形成してなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

錘部と、その錘部を離間して外囲するフレームと、上記フレームに上記錘部を揺動自在に支持させる薄肉の可撓部と、その可撓部の撓み量に応じた電気信号を出力する上記可撓部に形成した抵抗体と、上記抵抗体からの出力を取り出す電極とを備えた半導体加速度センサにおいて、上記可撓部に、その可撓部の厚み方向に突出する放熱フィンを形成したことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P15/12 , H01L29/84

FI (2)：

G01P15/12 D , H01L29/84 A

F-Term (22)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA26 , 4M112CA27 , 4M112CA36 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA10 , 4M112DA12 , 4M112DA18 , 4M112EA02 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA10 , 4M112EA11 , 4M112EA13 , 4M112FA01 , 4M112FA07 , 4M112FA09 , 4M112FA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-249727
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-010768 Applicant：キヤノン株式会社
特開平4-258728

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