半導体装置およびその製造方法並びに半導体装置の製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大岩増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997163926
Publication number (International publication number)：1999016958
Application date： Jun. 20, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】汎用性があり、高い信頼性を有する安価で小型な半導体装置と、これを製造するための製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】本発明における半導体装置は、半導体素子1上の電極パッド1aと外部との電気信号入力を、金属リード2のみで行うことを特徴とする。金属リード2の断面はほぼ円形であり、その直径は、電極パッド1aの間隔や所望のパッケージサイズに応じて、50〜100umのものを用いる。金属リード2の主材料には、Au、Alの他にAg、Cuを用いることができる。金属リード2としては、金属リード単体のみでなく、表面に低融点ろう材を被覆したものや、金属リード2相互間および金属リード2と半導体素子1間の絶縁性を高めるために、金属リード表面に絶縁被覆材を施したものを用いても良い。

Claim (excerpt)：

電極パッドを有する半導体素子、上記電極パッドに一端を接続された金属リード、上記半導体素子、上記電極パッドおよび上記金属リードの一部を覆う封止材を備え、上記金属リードにて外部との電気的接続を行うことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 321 , H01L 23/48 , H01L 23/50

FI (3)：

H01L 21/60 321 E , H01L 23/48 V , H01L 23/50 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-189249 Applicant：新光電気工業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-316962 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体パッケージおよびそのアセンブリ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-265633 Applicant：ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド

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