半導体薄膜および半導体装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998152308
Publication number (International publication number)：1999345767
Application date： May. 16, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】極めて結晶性に優れた半導体薄膜及びそれを用いた高性能な半導体装置を提供する。【解決手段】非晶質半導体薄膜を触媒元素を利用して結晶化させた後、ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い、前記触媒元素を除去する。こうして得られる結晶性半導体薄膜は概略{110}配向を示す。また、この半導体薄膜は個々の結晶粒の配向性がほぼ等しいため結晶粒界が実質的に存在せず、単結晶または実質的に単結晶と見なせる結晶性を有している。

Claim (excerpt)：

珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、主たる配向面は概略{110}面であり、膜中に存在するC(炭素)及びN(窒素)の濃度が 5×1017atoms/cm3 以下、O(酸素)の濃度が 1×1018atoms/cm3 以下であり、前記複数の棒状または偏平棒状結晶は互いに回転角をもって接しており、且つ、当該回転角の絶対値が3°以内であることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-336338 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
多結晶シリコン薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-293530 Applicant：日本電気株式会社
特開2042-043679

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Cited by examiner (7)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-235461 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-164643 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-048531 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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