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J-GLOBAL ID：200903074024961566
半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
杉浦 正知
, 森 幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002216266
Publication number (International publication number)：2004063537
Application date： Jul. 25, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：
【課題】p型AlGaN電子ブロック層などの、Al組成が10%以上のp型層を有する場合においても、動作電圧の低減を図ることができ、しかもそのp型層による電子ブロッキング効果を十分に得ることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】n側クラッド層5とp側クラッド層9、12との間に活性層7が挟まれた構造を有し、かつ、Al組成が10%以上のp型AlGaN電子ブロック層を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、p型AlGaN電子ブロック層11の少なくとも一部にInを1×1019/cm3 以上含ませる。例えば、In濃度をほぼ均一とし、1×1019/cm3 以上1×1022/cm3 未満とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
n側クラッド層とp側クラッド層との間に活性層が挟まれた構造を有し、かつ、Al組成が10%以上のp型層を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、
上記p型層の少なくとも一部にInが1×1019/cm3 以上含まれている
ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (14)：
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073AA89
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073DA07
, 5F073DA35
Cited by examiner (6)
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