窒化ガリウム系化合物半導体発光素子および窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997208828
Publication number (International publication number)：1999054795
Application date： Aug. 04, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を得ることを目的とする。【解決手段】有機金属気相成長法により、基板1上にインジウムを含むバッファ層2を成長させ、このバッファ2層の上にインジウムを含むn型窒化ガリウム系化合物半導体薄膜3を成長させる。これにより、バッファ層2とn型窒化ガリウム系化合物半導体薄膜3との界面近傍における歪みや結晶欠陥等の発生が低減される。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に成膜されたインジウムを含むバッファ層と、前記バッファ層上に成膜され、少なくとも前記バッファ層と接する側にインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体薄膜とを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/86

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 21/86

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038157 Applicant：株式会社東芝
化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-043581 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038158 Applicant：株式会社東芝

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