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J-GLOBAL ID：200903092227942689

窒化物半導体発光素子

Inventor：
赤坂 哲也

About 赤坂 哲也

, 
安藤 精後

About 安藤 精後

, 
小林 直樹

About 小林 直樹


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 高山 道夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000260003
Publication number (International publication number)：2002076521
Application date： Aug. 30, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 クラッド層としてのp型のAlGaNは、電気抵抗が非常に高く、電圧降下や温度上昇による活性層の内部量子効率の低下という現象が起きていた。【解決手段】 (0001)を表面とするサファイア基板1上に、30nm厚のGaN低温緩衝層2,Siがドープされた3μm厚のn型のGaNコンタクト層3,Siがドープされた0.5μm厚のn型のAl0.05Ga0.95Nクラッド層4,従来用いられているGaNではなくSiがドープされた0.2μm厚のn型のIn0.05Ga0.95N光ガイド層5,4nm厚のIn0.2 Ga0.8 N量子井戸層と8nm厚のIn0.05Ga0.95N障壁層の3周期からなる多重量子井戸活性層6,Mgがドープされた20nm厚のp型のAl0.2 Ga0.8 N電子ブロック層7,p型のAlGaNを用いずにMgがドープされた0.6μm厚のp型のInGaNクラッド層8を順次有機金属気相成長法により積層した構造である。
Claim (excerpt)：
分離閉じこめヘテロ構造型の窒化物半導体発光素子において、光ガイド層として、n型のIn<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> N(0<x<1)と、p型のIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB> N(0<y<1)とのうちのいづれか、あるいは両方を用い、p側のクラッド層としてp型のIn<SB>z</SB> Ga<SB>1-z</SB> N(0≦z≦1,z<x,z<y)を用いることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C
F-Term (18)：
5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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