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J-GLOBAL ID:200903057497759959
半導体装置部品およびその製造方法ならびにこれを用いた半導体装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
和田 憲治
, 小松 高
, 萩原 康司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004101128
Publication number (International publication number):2005286240
Application date: Mar. 30, 2004
Publication date: Oct. 13, 2005
Summary:
【課題】低膨張係数と高熱伝導率を有し、Pbフリーはんだを用いて半導体装置に接合した場合であっても、接合によるそりの少ない放熱板などの半導体装置部品を提供する。【解決手段】銅又は銅基合金からなる板状体に1〜15μmの厚さのSnメッキを施し、次いで180〜240°Cで2時間以上熱処理することにより、銅又は銅基合金の外周面にCu-Sn系金属間化合物の層を形成させた低膨張係数と高熱伝導率を有する放熱板などの半導体装置部品を製造し、Pbフリーはんだを用いて半導体装置の回路基板などに接合した場合であっても、そりの少ない高信頼性のパワー半導体モジュールなどの半導体装置を得る。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面に金属間化合物の層が形成されてなる、半導体装置への接合用の半導体装置部品。
IPC (2):
FI (2):
H01L23/36 M
, H01L23/36 Z
F-Term (4):
5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BC06
, 5F036BD01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (9)
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