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J-GLOBAL ID：200903074270745872

半導体装置

Inventor：
大倉 嘉之

About 大倉 嘉之


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004192744
Publication number (International publication number)：2006019327
Application date： Jun. 30, 2004
Publication date： Jan. 19, 2006
Summary：
【課題】 酸化シリコン層、窒化シリコン層の積層ライナを備えたSTIを有し、帯電を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板の表面から下方に向かって形成され、前記シリコン基板の表面に活性領域を画定するトレンチと、前記トレンチの内壁を覆う酸化シリコン層の第1ライナ層と、前記第1ライナ層の上に形成された窒化シリコン層の第2ライナ層と、前記第2ライナ層の上に形成され、前記トレンチを埋める絶縁物の素子分離領域と、前記活性領域に形成されたpチャネルMOSトランジスタと、前記pチャネルMOSトランジスタを覆って,前記シリコン基板上方に形成され,紫外光遮蔽能を有さない窒化シリコン層のコンタクトエッチストッパ層と、前記コンタクトエッチストッパ層の上方に形成され、紫外光遮蔽能を有する窒化シリコン層の遮光膜と、を有する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
シリコン基板と、 前記シリコン基板の表面から下方に向かって形成され、前記シリコン基板の表面に活性領域を画定するトレンチと、 前記トレンチの内壁を覆う窒化シリコン層のライナ層と、 前記第2ライナ層の上に形成され、前記トレンチを埋める絶縁物の素子分離領域と、 前記活性領域に形成されたpチャネルMOSトランジスタと、 前記pチャネルMOSトランジスタを覆って,前記シリコン基板上方に形成され,紫外光遮蔽能を有さない窒化シリコン層のコンタクトエッチストッパ層と、 前記コンタクトエッチストッパ層の上方に形成され、紫外光遮蔽能を有する窒化シリコン層の遮光膜と、 を有する半導体装置。
IPC (7)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (6)：
H01L29/78 301N ,  H01L27/08 331A ,  H01L21/76 L ,  H01L29/78 301R ,  H01L27/08 321A ,  H01L21/90 J
F-Term (133)：
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032AA78 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033LL01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR14 ,  5F033RR20 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX28 ,  5F033XX32 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG03 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F140AA05 ,  5F140AA09 ,  5F140AA16 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG34 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK27 ,  5F140BK34 ,  5F140BK37 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CA06 ,  5F140CA07 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC05 ,  5F140CC08 ,  5F140CC10 ,  5F140CC12 ,  5F140CC13 ,  5F140CC16 ,  5F140CE07 ,  5F140CF07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 米国特許第5、447,884号公報
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-342719   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, 株式会社東芝
Cited by examiner (6)
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