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J-GLOBAL ID:200903029843639813
配線構造およびその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
机 昌彦 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001361482
Publication number (International publication number):2003163265
Application date: Nov. 27, 2001
Publication date: Jun. 06, 2003
Summary:
【要約】【課題】感光性絶縁膜を用いたダマシン配線法により、微細で信頼性の高い多層配線構造を形成する。【解決手段】感光性ポリシラザンを主成分とした感光性絶縁膜で第1ビアホール6を有するビアホール用絶縁膜7を形成し、全面にスピン塗布法で第2の感光性絶縁膜8を形成する。そして、フォトリソグラフィ法による露光/現像のみで上記第1ビアホール6の上部に配線溝9あるいは第2ビアホール10を形成する。そして、この配線溝9および第2ビアホール10に導電体材料を埋め込んでデュアルダマシン配線を形成する。ここで、感光性絶縁膜の下層に反射防止機能を有しそのまま層間絶縁膜として使用できる絶縁膜を形成する。
Claim (excerpt):
半導体基板上の絶縁膜に形成される溝配線の構造において、一配線層内で最小線幅となる溝配線は、前記最小線幅値と同じ口径値のビアホールを通して下層配線に接続され、同配線層内で最小線幅以上となる溝配線は、前記最小線幅値より大きな口径値のビアホールで下層配線に接続されていることを特徴とする配線構造。
IPC (2):
H01L 21/768
, H01L 21/027
FI (3):
H01L 21/90 A
, H01L 21/30 574
, H01L 21/30 502 R
F-Term (51):
5F033HH11
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033KK03
, 5F033KK07
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK14
, 5F033KK18
, 5F033KK19
, 5F033KK21
, 5F033KK31
, 5F033KK32
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033QQ01
, 5F033QQ04
, 5F033QQ09
, 5F033QQ13
, 5F033QQ48
, 5F033QQ54
, 5F033QQ74
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR05
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR23
, 5F033RR24
, 5F033RR25
, 5F033RR27
, 5F033RR29
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033TT04
, 5F033WW02
, 5F033XX03
, 5F033XX09
, 5F033XX15
, 5F033XX33
, 5F033XX34
, 5F046DA11
, 5F046PA00
, 5F046PA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
-
半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-246147
Applicant:株式会社日立製作所
-
多層配線およびその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-106531
Applicant:ソニー株式会社
-
感光性ポリシラザン組成物及びパタ-ン化されたポリシラザン膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-283106
Applicant:東燃株式会社
-
多層配線構造の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-261048
Applicant:ソニー株式会社
-
製造に適した、低誘電性、低配線抵抗かつ高性能ICを達成するための新規なプロセス技術
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平8-519801
Applicant:アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-345262
Applicant:松下電子工業株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-140584
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
絶縁膜の形成方法および多層配線
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-042209
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-140859
Applicant:日本電気株式会社
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