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J-GLOBAL ID：200903004172881182

半導体装置の製造方法と半導体装置

Inventor：
井上 健剛

About 井上 健剛

, 
大田 裕之

About 大田 裕之


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004060210
Publication number (International publication number)：2005251973
Application date： Mar. 04, 2004
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：
【課題】 良好なトランジスタ特性が得られる、STIを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)半導体基板表面上に化学機械研磨のストッパ層を形成する工程と、(b)前記ストッパ層、前記半導体基板に素子分離用トレンチを形成する工程と、(c)前記トレンチ内表面を覆うように窒化膜を堆積する工程と、(d)前記窒化膜を堆積したトレンチの少なくとも下部を埋めるように高密度プラズマ酸化で第1酸化膜を堆積する工程と、(e)前記トレンチ側壁上の前記第1酸化膜を希フッ酸でウォッシュアウトし、前記窒化膜は少なくとも厚さの一部を残す工程と、(f)ウォッシュアウト後のトレンチを埋めるように、高密度プラズマ酸化で第2酸化膜を堆積する工程と、(g)前記ストッパ層上の酸化膜を化学機械研磨で除去する工程と、を含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
(a)半導体基板表面上に化学機械研磨のストッパ層を形成する工程と、 (b)前記ストッパ層、前記半導体基板に素子分離用トレンチを形成する工程と、 (c)前記トレンチ内表面を覆うように窒化膜を堆積する工程と、 (d)前記窒化膜を堆積したトレンチの少なくとも下部を埋めるように高密度プラズマ酸化で第1酸化膜を堆積する工程と、 (e)前記トレンチ側壁上の前記第1酸化膜を希フッ酸でウォッシュアウトし、前記窒化膜は少なくとも厚さの一部を残す工程と、 (f)ウォッシュアウト後のトレンチを埋めるように、高密度プラズマ酸化で第2酸化膜を堆積する工程と、 (g)前記ストッパ層上の酸化膜を化学機械研磨で除去する工程と、 を含む半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L21/76 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78
FI (3)：
H01L21/76 L ,  H01L27/08 331A ,  H01L29/78 301R
F-Term (68)：
5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032AA84 ,  5F032BB06 ,  5F032CA17 ,  5F032CA24 ,  5F032DA04 ,  5F032DA24 ,  5F032DA28 ,  5F032DA33 ,  5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F140AA05 ,  5F140AA08 ,  5F140AA16 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG34 ,  5F140BG45 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK22 ,  5F140BK27 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC05 ,  5F140CC07 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-342719   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, 株式会社東芝
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-301037   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, 株式会社東芝
Cited by examiner (6)
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