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J-GLOBAL ID:200903074915397122
柔軟なキャリアプレートを有する半導体ウェハポリシング装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 稔 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998030088
Publication number (International publication number):1998270538
Application date: Feb. 12, 1998
Publication date: Oct. 09, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体ウェハをポリシングする際に半導体ウェハの全域に均一な圧力を付与する改良されたウェハキャリアを提供する。【解決手段】 半導体ウェハポリシング装置のキャリアヘッドは、複数の開放した流体溝をもつ主表面を有する堅牢なプレートを備えている。フレキシブルなウェハキャリア膜は、半導体ウェハに接触するための孔のあいたウェハ接触区分、及びこのウェハ接触区分のまわりに延びるベローを有する。保持リングが堅牢なプレートに固定され、プレートの主表面と保持リングとの間にベローのフランジがサンドイッチされ、これにより、ウェハキャリア膜と堅牢なプレートとの間に空洞が画成される。堅牢なプレートには流体コンジットが接続され、真空源及び加圧流体源を交互に空洞に接続することができる。
Claim (excerpt):
半導体ウェハの表面をポリシングする装置のキャリアヘッドにおいて、主表面を有する堅牢なプレートと、半導体ウェハに接触するためのウェハ接触区分を有する柔軟でフレキシブルな材料のウェハキャリア膜であって、上記堅牢なプレートに接続され、そして上記主表面の少なくとも一部分にわたって延びて、それらの間に空洞を画成するウェハキャリア膜と、上記ウェハキャリア膜のウェハ接触区分のまわりで上記堅牢なプレートに固定された保持リングと、真空源及び加圧流体源を上記空洞に交互に接続するところの流体コンジットとを備えたことを特徴とするキャリアヘッド。
IPC (3):
H01L 21/68
, H01L 21/304 621
, H01L 21/304 622
FI (3):
H01L 21/68 N
, H01L 21/304 621 D
, H01L 21/304 622 K
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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流体圧制御式ウエハポリシングヘッド
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-147597
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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ウエーハの研磨方法および研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-284393
Applicant:信越半導体株式会社
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半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-270654
Applicant:株式会社東芝
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研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-174602
Applicant:不二越機械工業株式会社
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研磨装置の基板ホルダおよびその研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-041578
Applicant:株式会社日立製作所
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