近接場光による露光方法と露光装置、及び露光マスク

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長尾達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001050898
Publication number (International publication number)：2001319875
Application date： Feb. 26, 2001
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】近接場光を用いた露光において、均一なパターンを形成することが可能な露光方法と露光装置、及び露光マスクを提供する。【解決手段】近接場光による露光方法または装置において、露光用マスクを被加工物との距離が近接場光存在領域となる距離内に位置制御する行程と、前記露光用マスクの開口密度に応じて近接場光の強度を制御して前記被加工物を露光する行程とを備え、被露光物を露光するように構成する。

Claim (excerpt)：

近接場光による露光方法において露光用マスクを被加工物との距離が近接場光存在領域となる距離内に位置制御する行程と、前記露光用マスクの開口密度に応じて近接場光の強度を制御して前記被加工物を露光する行程とを有することを特徴とする近接場光による露光方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 1/14 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00

FI (6)：

G03F 1/08 A , G03F 1/14 A , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 H , H01L 21/30 502 D , H01L 21/30 516 D

F-Term (8)：

2H095BA03 , 2H095BB01 , 2H095BB31 , 2H095BC26 , 5F046AA25 , 5F046BA10 , 5F046CB17 , 5F046DA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

マスクパターンの作成方法およびマスクパターン作成装置並びにマスク作成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-184146 Applicant：ソニー株式会社
マスク製造のための近接効果補正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-077796 Applicant：聯華電子股ふん有限公司
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-219532 Applicant：株式会社日立製作所

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