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J-GLOBAL ID：200903075098124930

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
中村 康輔

About 中村 康輔

, 
北村 啓明

About 北村 啓明

, 
澤田 康志

About 澤田 康志


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999281708
Publication number (International publication number)：2001102197
Application date： Oct. 01, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 小型に形成することが可能になり、プラズマ処理を安定して均一に行なうことができると共に厚物の被処理物でもプラズマ処理が可能になるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 絶縁体4を介して互いに対向して配置される少なくとも一対の電極2,3をチャンバー1内に配設すると共に、電極2,3間にプラズマ生成用ガスを供給し、電極2,3の間に電界を負荷して大気圧下でグロー放電を発生させると共にこのグロー放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成させ、このプラズマを被処理物5に作用させて表面処理を行なうようにしたプラズマ処理装置に関する。被処理物5を搬送する搬送手段6をチャンバー1内において上記の電極2,3よりもプラズマ生成用ガスの流れの下流側に配置して設ける。
Claim (excerpt)：
互いに対向して配置される少なくとも一対の電極をチャンバー内に配設すると共に、電極間にプラズマ生成用ガスを供給し、対をなす電極間に電界を負荷して大気圧下でグロー放電を発生させると共にこのグロー放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成させ、このプラズマを被処理物に作用させて表面処理を行なうようにしたプラズマ処理装置において、被処理物を搬送する搬送手段をチャンバー内において上記の対をなす電極よりもプラズマ生成用ガスの流れの下流側に配置して設けて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H05H 1/24 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (4)：
H05H 1/24 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
F-Term (28)：
4K057DA01 ,  4K057DB20 ,  4K057DD01 ,  4K057DE14 ,  4K057DM02 ,  4K057DM09 ,  4K057DM13 ,  4K057DM36 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BC06 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA21 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F045DP21 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB08 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05 ,  5F045EH04 ,  5F045EN01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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