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J-GLOBAL ID：200903076426165556

エラストマートランスデューサーおよび導電性ゴム組成物ならびに誘電性ゴム組成物

Inventor：
花谷 尚子

About 花谷 尚子

, 
志熊 純一

About 志熊 純一

, 
外尾 道太

About 外尾 道太

, 
横内 敦

About 横内 敦


Applicant, Patent owner：
日本精工株式会社

About 日本精工株式会社


Agent (3)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009044710
Publication number (International publication number)：2009227985
Application date： Feb. 26, 2009
Publication date： Oct. 08, 2009
Summary：
【課題】ひずみなどの繰り返し応力に対して優れた耐久性を発揮できる新規なエラストマートランスデューサーおよび導電性ゴム組成物ならびに誘電性ゴム組成物の提供。 【解決手段】一対の電極層10,10間に誘電性の中間層20を介装してなるエラストマートランスデューサー100であって、前記電極層10,10を、ベースゴムに導電性フィラーを含有した導電性ゴム組成物で構成すると共に、前記中間層20を、ベースゴムに誘電性フィラーを含有する誘電性ゴム組成物で構成する。これによって、ひずみなどの繰り返し応力に対して優れた耐久性を発揮できるため、電極層10のひび割れや剥離、中間層20のひび割れや亀裂、破断などを未然に防止することができる。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
一対の電極層間に誘電性ゴム組成物で構成された中間層を介装してなるエラストマートランスデューサーであって、
IPC (4)：
C08L 101/00 ,  C08K 3/00 ,  C08K 5/00 ,  H04R 17/00
FI (4)：
C08L101/00 ,  C08K3/00 ,  C08K5/00 ,  H04R17/00
F-Term (30)：
4J002AC091 ,  4J002BB181 ,  4J002BG021 ,  4J002BG041 ,  4J002BM002 ,  4J002CE002 ,  4J002CK021 ,  4J002CN021 ,  4J002CP031 ,  4J002CP081 ,  4J002DA016 ,  4J002DA076 ,  4J002DA116 ,  4J002DE187 ,  4J002DM007 ,  4J002EN137 ,  4J002EU027 ,  4J002EU047 ,  4J002EU117 ,  4J002EV097 ,  4J002EV137 ,  4J002EV167 ,  4J002FA046 ,  4J002FD112 ,  4J002FD116 ,  4J002FD207 ,  4J002GQ00 ,  4J002GQ04 ,  4J002GT00 ,  5D004BB04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (20)
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Cited by examiner (22)
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