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J-GLOBAL ID:200903076443486617

半導体電力モジュール及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000300616
Publication number (International publication number):2001156253
Application date: Sep. 29, 2000
Publication date: Jun. 08, 2001
Summary:
【要約】【課題】 熱放出能力を向上させると共に製造費用を最少化することができる半導体電力モジュールを提供する。また、半導体電力モジュールの製造方法を単純化する。【解決手段】 本発明による半導体電力モジュール100は中央部に位置する電力回路10及び熱感知回路20と縁部に位置する制御回路30とこれらが実装されているリードフレーム40とを含む。ここで、リードフレーム40は電力回路10及び熱感知回路20が実装されており、中央部に位置する第1部分と第1部分と異なる高さで形成されており第1部分の周りに位置し制御回路が実装されている第2部分とを有する。また、半導体電力モジュール100はリードフレーム40、多数の素子及び配線を保護することができるようにそれらを囲んだ封止材60、半導体電力素子が形成されているリードフレームの上部面と対向する下部面に形成されている絶縁体70を含む。
Claim (excerpt):
電力回路が実装されている中央部の第1部分と、前記第1部分の周りに前記第1部分と異なる高さで形成されており前記電力回路を駆動するための制御回路が実装されている第2部分と、前記第2部分に連結されており外部から電気的な信号を出力したり伝達を受けるためのターミナルとを含むリードフレームと、絶縁性及び熱伝導性を有する物質からなっており、前記電力回路が形成されている前記第1部分の一面に対向する前記リードフレームの他の面の上部に形成されている絶縁体と、絶縁性を有する物質で形成され前記電力回路及び前記制御回路を囲んでおり、前記リードフレームと前記絶縁体に結合されている封止材とを含む半導体電力モジュール。
IPC (3):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/29
FI (2):
H01L 25/04 C ,  H01L 23/36 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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