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J-GLOBAL ID:200903076561987167
処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
萩原 康司 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994142409
Publication number (International publication number):1995331445
Application date: Jun. 01, 1994
Publication date: Dec. 19, 1995
Summary:
【要約】【目的】 処理室内の特にシャワーヘッドや処理室の内側面を容易にクリーニングできる手段を提供することにより、ウェハのパーティクル汚染防止を図ると共に、装置のダウンタイムを低減させて、稼働率の向上を図る。【構成】 気密な処理室2内において、載置台25上に載置された被処理体Wをこの被処理体に対向配置されたシャワーヘッド6より導入した処理ガスを用いて処理する処理装置1であって、該シャワーヘッド6の外周部にデポが付着するのを防止するためのカバー体60を脱着自在に装着する。
Claim (excerpt):
気密な処理室内において、載置台上に載置された被処理体をこの被処理体に対向配置されたシャワーヘッドより導入した処理ガスを用いて処理するものであって、該シャワーヘッドの外周部にデポが付着するのを防止するためのカバー体を脱着自在に装着したことを特徴とする処理装置。
IPC (6):
C23C 16/44
, C23C 16/46
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/31
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-246405
Applicant:菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
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クリーニング方法及び半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-173529
Applicant:富士通株式会社
-
コールドウォール形処理装置のクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-309258
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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特開平1-316928
-
プラズマ処理装置のパラメータ監視システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-086895
Applicant:株式会社日立製作所
-
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-013723
Applicant:株式会社日立製作所
-
特開昭63-148327
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-085387
Applicant:東京エレクトロン山梨株式会社
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