窒化物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002366393
Publication number (International publication number)：2004200362
Application date： Dec. 18, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

【課題】特別な欠陥低減手法を用いることなく、高発光効率、高信頼性、高生産性、低コストの窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に形成されInを含む窒化物半導体からなる発光層と、AlxGa1-xN(0≦x)からなる大格子定数層と、AlyGa1-yN(x<y≦1、0.30≦y-x≦0.50)からなり前記大格子定数層よりも小さい格子定数を有する小格子定数層と、を交互に2周期以上積層した構造からなる歪多層構造層と、前記歪多層構造層上に形成され、窒化物半導体からなり、p型ドーパントとしてのマグネシウムが添加されたp型層と、を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体からなるn型層と、前記n型層上に形成されInを含む窒化物半導体からなる発光層と、 AlxGa1-xN(0≦x)からなる大格子定数層と、AlyGa1-yN(x<y≦1、0.30≦y-x≦0.50)からなり前記大格子定数層よりも小さい格子定数を有する小格子定数層と、を交互に周期的に積層した構造からなる歪多層構造層と、前記歪多層構造層上に形成され、窒化物半導体からなり、p型ドーパントとしてのマグネシウムが添加されたp型層と、を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S5/343 , H01L21/205 , H01L33/00

FI (3)：

H01S5/343 610 , H01L21/205 , H01L33/00 C

F-Term (41)：

5F041AA03 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F045AF16 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F073AA44 , 5F073AA76 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB14 , 5F073CB22 , 5F073DA21 , 5F073EA24 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-009638 Applicant：ソニー株式会社
p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-207658 Applicant：日本電気株式会社
III族窒化物系化合物半導体の製造方法、及びそれに基づくIII族窒化物系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-083490 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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