半導体メモリおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小川勝男 , 田中恭助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004330537
Publication number (International publication number)：2006140395
Application date： Nov. 15, 2004
Publication date： Jun. 01, 2006
Summary：

【課題】相変化メモリは結晶状態で使い始める必要が有るが、基板加熱製膜では表面が荒れずに製膜できる基板温度が100°C付近の狭い温度範囲に限られ、マージンが無い。製膜後のプロセスで加熱されることによる結晶化では結晶粒径が大きくなって接着性が低下し、洗浄工程などで剥離の可能性が大きい。また、結晶粒径が下部電極サイズと同程度またはそれより大きく特性バラツキの原因になる。また、結晶形がメモリ書き換え時の結晶形と大きく異なり、1回目からの安定な書換えができない。【解決手段】上記目的を達成するため、膜の両側の電極のうちの、相変化膜との接触領域の最大幅が小さい方の電極の接触領域最大幅よりも結晶粒の膜面に平行な断面での平均幅が小さい相変化膜とする。初期結晶化後の400°Cのプロセスで結晶形が大きく変化しないようカルコゲナイド相変化膜の組成と組合せる。初期結晶化時に表面を薄い電極材料層や絶縁物層で保護する。【選択図】図20

Claim (excerpt)：

基体と、前記基体上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成された、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録できる相変化膜と、前記相変化膜上に形成された第2の電極とを有し、前記相変化膜は、前記相変化膜の主面に直接または間接的に接して形成された電極の相変化膜と接する部分の最大寸法もしくは前記主面に直接または間接的に接して対向する面に形成された電極の相変化膜と接する部分の最大寸法のいずれか小さい方よりも、前記基体の面に垂直な断面において膜厚方向の中央で前記基体の表面に沿った方向に切った時の前記相変化膜の結晶粒の平均幅が小さいことを特徴とする半導体メモリ。

IPC (3)：

H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 45/00

FI (3)：

H01L27/10 448 , H01L27/10 461 , H01L45/00 A

F-Term (25)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083JA60 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR34 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR46 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083PR56 , 5F083ZA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

論理装置上の第2層位相変化メモリアレイ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-516747 Applicant：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
相変化性メモリ材料と誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-519794 Applicant：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド

Cited by examiner (6)

相変化型不揮発性記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-296101 Applicant：株式会社東芝
特表平6-509909
相変化メモリおよびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-134651 Applicant：独立行政法人理化学研究所

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