電気めっき方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人ウィンテック
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008009151
Publication number (International publication number)：2008111197
Application date： Jan. 18, 2008
Publication date： May. 15, 2008
Summary：

【課題】半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする際に、金属基体の溶解を防止して正常に電気めっきできるようにした電気めっき方法を提供すること。【解決手段】半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする際に、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、金属粉末を前記金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させた電気めっき液及び界面活性剤を含み、超臨界状態又は亜臨界状態で誘導共析現象を利用して電気めっきを行う。そうすると、電気めっき液中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象を利用して短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする方法において、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、金属粉末を前記金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させた電気めっき液及び界面活性剤を含み、超臨界状態又は亜臨界状態で誘導共析現象を利用して電気めっきを行うことを特徴とする電気めっき方法。

IPC (4)：

C25D 7/12 , C25D 15/02 , C25D 21/12 , H01L 21/288

FI (4)：

C25D7/12 , C25D15/02 E , C25D21/12 A , H01L21/288 E

F-Term (12)：

4K024AA03 , 4K024AA04 , 4K024AA05 , 4K024AA09 , 4K024AB12 , 4K024BB12 , 4K024CA16 , 4K024CB26 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB36 , 4M104DD52

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

特開2003- 96596号公報(特許請求の範囲、段落[0003]〜[0010]、[0011]、図4、図6、図8)
半導体装置の製造方法及びメッキ液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-068984 Applicant：松下電器産業株式会社
電気メッキ等の電気化学的処理方法およびその電気化学的反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-401301 Applicant：吉田英夫, 宮田清蔵, 浅井美博

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Cited by examiner (7)

分散メッキ皮膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-294221 Applicant：スズキ株式会社
電気めっき方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-014756 Applicant：ティーディーケイ株式会社
錫めっき浴中における鋼帯の溶解を防止する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-042057 Applicant：新日本製鐵株式会社

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