0.5および0.5以下のULSI回路用の中間レベル誘電体内要素としての水素シルシクイオクサンをベースとした流動性酸化物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995330694
Publication number (International publication number)：1996255834
Application date： Dec. 19, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【課題】より少ない処理工程で、先行技術より低い誘電率を有するプレーナ形誘電体層を中間接続パターン上に形成する。【解決手段】 (イ)電気的中間接続パターンをその上に有する基板を提供し、(ロ)前記中間接続パターン上に誘電体の第1の層を形成し、(ハ)前記第1の誘電体層上に前記第1の層とは異なる第2のケイ素含有誘電体層を、無機ケイ素含有組成から形成し、そして(ニ)前記第2の誘電体層上に、前記第2の層とは異なる第3の誘電体層を形成する段階を含む、中間接続パターン上にプレーナ形誘電体層を形成する方法。

Claim (excerpt)：

中間接続パターン上にプレーナ形誘電体層を形成する方法であって、(イ)電気的中間接続パターンをその上に有する基板を提供し、(ロ)前記中間接続パターン上に誘電体の第1の層を形成し、(ハ)前記第1の誘電体層上に前記第1の層とは異なる第2のケイ素含有誘電体層を、無機ケイ素含有組成から形成し、そして(ニ)前記第2の誘電体層上に、前記第2の層とは異なる第3の誘電体層を形成する段階を含む前記の方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/90 M , H01L 21/88 K , H01L 21/90 P , H01L 21/90 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-219106 Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-279633 Applicant：富士通株式会社
半導体集積回路装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-109210 Applicant：三菱電機株式会社

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