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J-GLOBAL ID：200903077119938510

高耐熱導電性薄膜の製造方法、該製造方法によって得られる高耐熱導電性薄膜、および積層膜、並びに該積層膜を備えるデバイス

Inventor：
秋山 守人

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上野 直広

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蒲原 敏浩

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永井 秀明

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奥谷 猛

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Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

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Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004097116
Publication number (International publication number)：2005281767
Application date： Mar. 29, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：
【課題】 高温安定性、抵抗温度係数および機械的特性の全てを満たす高耐熱導電性薄膜、特に、変質、不導体化、導電不良、クラック形成、および/または剥離を生じない高耐熱導電性薄膜を提供する。【解決手段】 少なくとも1種類の白金族元素からなる薄膜と少なくとも1種類の高融点金属元素からなる薄膜とを備える。上記2つの薄膜を高温環境下に置くことによって、高耐熱導電性薄膜を形成させる。上記白金族元素を、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)および白金(Pt)からなる群より選択する。上記高融点金属元素を、イットリウム(Y)、チタン(Ti)、タングステン(W)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)およびニッケル(Ni)からなる群より選択する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
高耐熱導電性薄膜を製造する方法であって、該方法は、以下の工程: ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)および白金(Pt)からなる群より選択される白金族元素の少なくとも1種類の薄膜を形成する工程: 上記薄膜上にさらに、イットリウム(Y)、チタン(Ti)、タングステン(W)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、シリコン(Si)、バナジウム(V)、鉄(Fe)、銅(Cu)、レ二ウム(Re)、金(Au)およびニッケル(Ni)からなる群より選択される高融点金属元素の少なくとも1種類の薄膜を積層する工程:並びに 上記積層させた膜を高温環境下に供する工程、 を包含することを特徴とする高耐熱導電性薄膜を製造する方法。
IPC (2)：
C23C14/06 ,  C23C14/58
FI (2)：
C23C14/06 N ,  C23C14/58 A
F-Term (18)：
4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029AA08 ,  4K029BA02 ,  4K029BA05 ,  4K029BA06 ,  4K029BA07 ,  4K029BA08 ,  4K029BA09 ,  4K029BA13 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029GA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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