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J-GLOBAL ID:200903077226343936
パターン作成方法、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びプログラム
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003420984
Publication number (International publication number):2005181612
Application date: Dec. 18, 2003
Publication date: Jul. 07, 2005
Summary:
【課題】 所望のパターンを容易に作成することが可能なパターン作成方法を提供する。【解決手段】 半導体装置用のパターン作成方法であって、パターンレイアウトから一部の領域を抽出する工程S5と、一部の領域に含まれるパターンに摂動を加えて摂動パターンを生成する工程S6と、摂動パターンに対して所定の補正を行う工程S7と、所定の補正が行われた摂動パターンからウエハ上に形成される第1のパターンを予想する工程S8、S9と、摂動パターンと第1のパターンとの第1の差異を求める工程S10と、第1の差異に関する情報を含む摂動パターンに関する情報を記憶する工程S11とを備える。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
半導体装置用のパターン作成方法であって、
パターンレイアウトから一部の領域を抽出する工程と、
前記一部の領域に含まれるパターンに摂動を加えて摂動パターンを生成する工程と、
前記摂動パターンに対して所定の補正を行う工程と、
前記所定の補正が行われた摂動パターンからウエハ上に形成される第1のパターンを予想する工程と、
前記摂動パターンと前記第1のパターンとの第1の差異を求める工程と、
前記第1の差異に関する情報を含む前記摂動パターンに関する情報を記憶する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン作成方法。
IPC (3):
G03F1/08
, G06F17/50
, H01L21/027
FI (3):
G03F1/08 A
, G06F17/50 658M
, H01L21/30 502P
F-Term (3):
2H095BB02
, 5B046AA08
, 5B046BA06
Patent cited by the Patent:
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