半導体レーザ装置および光ディスク再生記録装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002316075
Publication number (International publication number)：2003283056
Application date： Oct. 30, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】発振波長が760nmより大きく800nmより小さくて、高信頼性、長寿命、かつ、高出力な半導体レーザ装置、および、その半導体レーザ装置を用いた光ディスク再生記録装置を提供すること。【解決手段】 GaAs基板101上に、少なくとも、第一および第二下クラッド層103,133、井戸層と障壁層からなる量子井戸活性層105、第一および第二上クラッド層107,109を積層する。上記井戸層はInGaAsPからなる。上記井戸層の層厚dを160Åと厚くし、上記井戸層の一層への光閉じ込め係数をΓとすると、Γ/dを2.2×10-4Å-1と大きくする。こうすることによって、良好なしきい値特性および温度特性を保ちつつ、CODレベルの高い高出力な半導体レーザ装置が得られる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、少なくとも、第一導電型の下クラッド層、井戸層と障壁層からなる量子井戸活性層、第二導電型の上クラッド層が積層されてなると共に、発振波長が760nmより大きく800nmより小さい半導体レーザ装置において、上記井戸層および上記障壁層はInGaAsP、InGaPまたはGaAsPからなり、上記井戸層の層厚をd、上記井戸層の一層への光閉じ込め係数をΓとしたとき、Γ/dが2.2×10-4Å-1以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 5/343 , G11B 7/125

FI (2)：

H01S 5/343 , G11B 7/125 A

F-Term (20)：

5D119AA10 , 5D119AA24 , 5D119AA32 , 5D119FA05 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073BA06 , 5F073CA13 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB10 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073EA23 , 5F073EA24 , 5F073EA28 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-155691 Applicant：富士写真フイルム株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-317644 Applicant：富士写真フイルム株式会社

Cited by examiner (5)

半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-139623 Applicant：富士写真フイルム株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-085230 Applicant：富士写真フイルム株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-257881 Applicant：シャープ株式会社

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