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J-GLOBAL ID：200903080741924187

半導体レーザ素子

Inventor：
松本 晃広

About 松本 晃広


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999023843
Publication number (International publication number)：2000223780
Application date： Feb. 01, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】 低出力状態では自励発振による低雑音特性が得られ、高出力状態では戻り光でのマルチ縦モード発振による低雑音特性が得られることとなり、低出力状態及び高出力状態のいずれの状態においても、雑音特性を低減することができ、低雑音特性の両立を図ることを目的とする。【解決手段】 半導体基板上に、第1導電型クラッド層、活性層及び第2導電型クラッド層がこの順で積層され、前記第1導電型又は第2導電型クラッド層中にレーザ発振光に対する可飽和吸収層を有し、前記第2導電型のクラッド層中にストライプ状の開口を有する電流狭窄構造を有してなり、光出力2mWから5mWの低出力状態において自励発振が起こり、かつ光出力20mW以上の高出力状態において、光出力の戻り光が0.5%から20%ではマルチ縦モード発振が起こるように構成されてなる半導体レーザ素子。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、第1導電型クラッド層、活性層及び第2導電型クラッド層がこの順で積層され、前記第1導電型又は第2導電型クラッド層中にレーザ発振光に対する可飽和吸収層を有し、前記第2導電型のクラッド層中にストライプ状の開口を有する電流狭窄構造を有してなり、光出力2mWから5mWの低出力状態において自励発振が起こり、かつ光出力20mW以上の高出力状態において、光出力の戻り光が0.5%から20%ではマルチ縦モード発振が起こるように構成されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
F-Term (8)：
5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA44 ,  5F073AA53 ,  5F073AA89 ,  5F073BA04 ,  5F073EA01 ,  5F073EA27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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