半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹村壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995351302
Publication number (International publication number)：1997186116
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体基板のCMP処理において効果的な後処理方法及びこの方法を実施するための半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体基板表面にスラリーを供給しながらこの半導体基板表面の被ポリッシング膜を研磨布によりポリッシングする工程と、このポリッシングが終了した時点でスラリーの供給を止め、前記半導体基板表面に付着した前記スラリーの研磨粒子が持つゼータ電位と前記被ポリッシング膜が持つゼータ電位とが同じ極性になるように調整する工程とを有する。半導体基板とスラリーに含まれる研磨粒子のゼータ電位を同じ極性になるように、しかもゼータ電位値の絶対値をできるだけ近付けるようにイオン水のpHを調整することにより、ポリッシングレート及び均一性を損なうこと無く研磨粒子の半導体基板表面への吸着を防止し、その低ダスト化を実現する。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に研磨剤を供給しながらこの半導体基板表面の被ポリッシング膜を研磨布を用いてポリッシングする工程と、前記被ポリッシング膜を所定の厚さまでポリッシングし、このポリッシングが終了した時点で前記研磨剤の供給を止め、前記半導体基板表面に付着した前記研磨剤の研磨粒子が持つゼータ電位と前記被ポリッシング膜が持つゼータ電位とが同じ極性になるように調整する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (2)：

H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体ウエーハ平面化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-276855 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
ウェハ研磨装置及びウェハ研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-276280 Applicant：富士通株式会社
シリコンウエハ表面の処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-220622 Applicant：ダイキン工業株式会社

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