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J-GLOBAL ID:200903077374166806

半導体装置、該半導体装置の製造方法、LEDヘッド、及び画像形成装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐藤 幸男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007105971
Publication number (International publication number):2008263126
Application date: Apr. 13, 2007
Publication date: Oct. 30, 2008
Summary:
【課題】 基板、及び、基板上に積層される半導体素子を含む半導体薄膜層103とを備える半導体装置に於いて、半導体素子が発生する熱を効率的に外部へ放散し、半導体装置の温度上昇を防止し、半導体装置の動作特性を向上させ、安定的な動作を維持すること。【解決手段】 上記基板として金属基板101を用い、該金属基板101と半導体薄膜層103との間に表面コーティング層102として、熱伝導率が高く、且つ絶縁性が良いダイヤモンドライクカーボン層102aを備える。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板と、該基板上に積層される半導体素子を含む半導体薄膜層とを備える半導体装置であって、 前記基板と、前記半導体薄膜層との間にダイヤモンドライクカーボン層を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1):
H01L 33/00
FI (1):
H01L33/00 N
F-Term (10):
5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB22 ,  5F041DA19 ,  5F041DA33 ,  5F041DA35
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • LED面発光装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-135117   Applicant:関西ティー・エル・オー株式会社
Cited by examiner (6)
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