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J-GLOBAL ID：200903088199298682

半導体複合装置、及びこれらを用いたプリントヘッド並びに画像形成装置。

Inventor：
荻原 光彦

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藤原 博之

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武藤 昌孝

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鈴木 貴人

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猪狩 友希

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Applicant, Patent owner：
株式会社沖データ

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株式会社沖デジタルイメージング

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Agent (1)： 佐藤 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005285887
Publication number (International publication number)：2007096160
Application date： Sep. 30, 2005
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：
【課題】LEDチップには上述の様なワイヤボンド用の領域を設ける必要があった為、LEDチップの小型化に伴う材料コストの削減を実行することが極めて困難であった。【解決手段】第1の基板102上に、所定の回路領域103と、半導体薄膜105を形成し、当該半導体薄膜105は、導電層104と、個別電極108と、導電層115とによって、3端子素子構造を形成することとしている。半導体薄膜105をこの様な構成とすることで、LEDチップを小型化することができると共に、材料コストを削減することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体層を積層した構造を備える半導体装置において、 第1導電型、第2導電型、又はノンドープの発光層と、 前記発光層の上方に設けられ、所定のコンタクトを通じて電圧が印加され、第2導電型によって構成された第1のコンタクト層と、 前記発光層の下方に設けられ、所定のコンタクトを通じて電圧が印加され、第2導電型によって構成された第2のコンタクト層と、 前記発光層の下方、且つ、前記第2のコンタクト層の上方に設けられ、前記第2のコンタクト層と選択的にエッチング除去可能であり、第1の導電型又は第2の導電型によって構成された第1のエッチング停止層と、 前記第2のコンタクト層の下方に設けられ、所定のコンタクトを通じて電圧が印加され、第1導電型によって構成された第3のコンタクト層とを備えること を特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455
FI (2)：
H01L33/00 A ,  B41J3/21 L
F-Term (35)：
2C162AE11 ,  2C162AE21 ,  2C162AE28 ,  2C162AE47 ,  2C162AH43 ,  2C162AH53 ,  2C162AH83 ,  2C162AH85 ,  2C162FA17 ,  2C162FA23 ,  5F041AA31 ,  5F041AA42 ,  5F041AA47 ,  5F041CA04 ,  5F041CA07 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA93 ,  5F041CB23 ,  5F041CB25 ,  5F041CB33 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA32 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA39 ,  5F041DA83 ,  5F041DB07 ,  5F041DC84 ,  5F041EE16 ,  5F041FF13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (12)
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