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J-GLOBAL ID：200903077506130989

キャパシタおよびその製造方法

Inventor： 松橋 秀明
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 佐藤 幸男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000190411
Publication number (International publication number)：2002009248
Application date： Jun. 26, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 耐久性および高周波特性に優れたキャパシタを提供する。【解決手段】 誘電体20を挟む一対の電極17、21の少なくとも一方が銅で構成されたキャパシタ。銅で構成された電極17、21と誘電体20との間には、該誘電体への銅の拡散を防止するための障壁18b、18cが設けられている。

Claim (excerpt)：

誘電体を挟む一対の電極の少なくとも一方が銅で構成されたキャパシタであって、前記一方の電極と前記誘電体との間には、該誘電体への銅の拡散を防止するための障壁が設けられていることを特徴とするキャパシタ。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/88 S

F-Term (37)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033VV10 ,  5F033XX00 ,  5F033XX28 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-070479   Applicant：川崎製鉄株式会社
• MIMキャパシタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-368693   Applicant：株式会社東芝
• コンデンサおよびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-274530   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• エレクトロマイグレーション耐性が向上し欠陥影響度が少ないサブクォーターミクロンの銅相互接続
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-143914   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-019244   Applicant：富士通株式会社
• キャパシタ構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-090567   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 特開平2-000341