プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996124351
Publication number (International publication number)：1997106900
Application date： May. 20, 1996
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】マイクロ波のプラズマによる装置においては、大電力のマイクロ波が伝送出来ず、工業的に要求されるレベルの高密度プラズマを生成できないという課題が有った。また、高周波のプラズマにより処理をする装置においては、異物を生じさせることなく、ウエハ面上に均一なプラズマを形成できない課題が有った。【解決手段】同軸導波管3で送られてきたマイクロ波を平行ディスク導波管4で拡大し、拡大同軸部5から放射する。あるいは、高周波を通じるループアンテナ(3)と、ループアンテナ(3)をとり囲んで構成された空洞共振器(4),空度共振器(4)のプラズマに面する側に2重構造スリット(5)を設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

試料をプラズマにより処理する方法において、前記プラズマの密度分布を独立に制御することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (6)：

H05H 1/46 B , H05H 1/46 C , C23C 16/50 , C23F 4/00 D , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-201717 Applicant：株式会社日立製作所
ドライエッチング方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-149986 Applicant：松下電器産業株式会社
マイクロ波プラズマ処理方法と装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-249591 Applicant：株式会社日立製作所

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Cited by examiner (7)

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