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J-GLOBAL ID：200903078281666759

IC素子の製造方法

Inventor： 清水 伸 ,  川村 哲士
Applicant, Patent owner： 日立マクセル株式会社
Agent (1)： 武 顕次郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002020219
Publication number (International publication number)：2002343877
Application date： Feb. 22, 2000
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 コイルが一体形成された高性能なIC素子を高能率に製造する方法を提供する。【解決手段】 所定のプロセスを経て作製された完成ウエハ11の表面保護膜2上にアンテナコイル3を含む所要の導電パターン15,16を形成する。しかる後に、当該所要の導電パターン15,16が形成された完成ウエハ11をスクライビングしてアンテナコイル3が一体形成されたIC素子1を得る。

Claim (excerpt)：

所定のプロセスを経て作製された完成ウエハの表面保護膜上にアンテナコイルを含む所要の導電パターンを形成した後、当該所要の導電パターンが形成された完成ウエハをスクライビングしてアンテナコイルが一体形成されたIC素子を得ることを特徴とするIC素子の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/822 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077 ,  H01L 27/04 ,  H01Q 1/36 ,  H01Q 1/38 ,  H01Q 7/00 ,  H01Q 23/00

FI (7)：

H01Q 1/36 ,  H01Q 1/38 ,  H01Q 7/00 ,  H01Q 23/00 ,  H01L 27/04 ,  G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 K

F-Term (24)：

5B035AA07 ,  5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA02 ,  5B035CA23 ,  5F038AZ04 ,  5F038EZ04 ,  5F038EZ19 ,  5F038EZ20 ,  5J021AA01 ,  5J021AB04 ,  5J021FA29 ,  5J021HA05 ,  5J021HA10 ,  5J021JA07 ,  5J021JA08 ,  5J046AA03 ,  5J046AA07 ,  5J046AA08 ,  5J046AA10 ,  5J046AA13 ,  5J046AB11 ,  5J046PA06 ,  5J046PA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• ノイズフィルター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-074259   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 専用アプリケーションシステム及びそのキーコード変換方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-083835   Applicant：国際電気株式会社, アルファ電子株式会社
• インダクタ、モノリシックマイクロ波集積回路及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-225113   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-353627   Applicant：株式会社東芝
• ICのリアクタンス形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-085679   Applicant：ソニー株式会社
• 平面インダクタ素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-042231   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-277012   Applicant：株式会社日立製作所