ガスセンサの製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：北村修一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005100078
Publication number (International publication number)：2005315873
Application date： Mar. 30, 2005
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】本発明は、ガスセンサに用いる金属の酸化物半導体膜を、コスト的に有利な湿式法で、しかも均一な薄膜で微細な粒子径を有するガスセンサの製造方法の提供を目的とする。【解決手段】ガスセンサの製造方法は、金属のフルオロ錯体と金属のフルオロ錯体からフッ素イオンを化学的に捕捉する捕捉剤とを含む処理液22、または捕捉剤のみを含む処理液22に、基板12を接触させ、さらに処理液22に金属のフルオロ錯体を添加しながら、金属の酸化物半導体膜を基板12の上に析出させる工程を備える。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

金属のフルオロ錯体と当該金属のフルオロ錯体からフッ素イオンを化学的に捕捉する捕捉剤とを含む処理液、または前記捕捉剤のみを含む処理液に、基板を接触させ、さらに前記処理液に前記金属のフルオロ錯体を添加しながら、前記金属の酸化物半導体膜を前記基板の上に析出させる工程を備えるガスセンサの製造方法。

IPC (1)：

G01N27/12

FI (2)：

G01N27/12 M , G01N27/12 C

F-Term (14)：

2G046BA01 , 2G046BA09 , 2G046BB02 , 2G046BC04 , 2G046BC08 , 2G046BE03 , 2G046FB02 , 2G046FC01 , 2G046FE12 , 2G046FE15 , 2G046FE39 , 2G046FE44 , 2G046FE46 , 2G046FE48

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

ガスセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-341856 Applicant：フイガロ技研株式会社
感湿素子、その製法およびそれを用いた感湿装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-353699 Applicant：株式会社リコー
ガスセンサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-141434 Applicant：フイガロ技研株式会社

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Cited by examiner (5)

特開平4-338136
特開昭58-161944
多孔質金属酸化物半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-111305 Applicant：学校法人慶應義塾

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