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J-GLOBAL ID：200903078323165747

メモリ素子およびその製造方法ならびに集積回路

Inventor： 野本 和正 ,  ダラム パル ゴサイン ,  野口 隆 ,  碓井 節夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998274983
Publication number (International publication number)：2000106401
Application date： Sep. 29, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低温で製造しても情報を長時間に渡って保持することができるメモリ素子およびその製造方法ならびに集積回路を提供する。【解決手段】 ガラスなどよりなる基板11の上に窒化ケイ素膜12および二酸化ケイ素膜13を介してメモリトランジスタ20と選択トランジスタ30とが形成されている。メモリトランジスタ20と選択トランジスタ30とは第2の不純物領域23において直列に接続されている。メモリトランジスタ20のメモリ用伝導領域21は非単結晶シリコンにより構成され、蓄積領域24は分散された複数の非単結晶シリコンよりなる微粒子により構成されている。よって、トンネル絶縁膜25に欠陥が存在していても部分的に電荷を保持できる。トンネル絶縁膜25はメモリ用伝導領域21の表面を酸素原子を含む電離気体に曝すことにより形成される。よって、低温で製造することができる。

Claim (excerpt)：

絶縁体よりなる下地部と、この下地部の一面に設けられた半導体よりなるメモリ用伝導領域と、このメモリ用伝導領域に隣接して設けられた第1の不純物領域と、この第1の不純物領域と離間しかつ前記メモリ用伝導領域に隣接して設けられた第2の不純物領域と、分散された複数の微粒子よりなり前記メモリ用伝導領域から遷移された電荷を蓄積する蓄積領域と、この蓄積領域と前記メモリ用伝導領域との間に設けられたトンネル絶縁膜と、前記蓄積領域の電荷量および前記メモリ用伝導領域の伝導度をそれぞれ制御するメモリ用制御電極と、このメモリ用制御電極と前記蓄積領域との間に設けられたメモリ制御用絶縁膜と、前記メモリ用伝導領域と離間しかつ前記第2の不純物領域に隣接して前記下地部の一部に設けられた選択用伝導領域と、この選択用伝導領域に隣接しかつ前記第2の不純物領域と離間して設けられた第3の不純物領域と、前記選択用伝導領域の伝導度を制御する選択用制御電極と、この選択用制御電極と前記選択用伝導領域との間に設けられた選択制御用絶縁膜とを備えたことを特徴とするメモリ素子。

IPC (4)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

F-Term (45)：

5F001AA19 ,  5F001AB20 ,  5F001AC06 ,  5F001AD12 ,  5F001AD41 ,  5F001AD60 ,  5F001AD70 ,  5F001AE50 ,  5F001AF06 ,  5F001AF07 ,  5F001AF25 ,  5F001AG10 ,  5F001AG12 ,  5F001AG21 ,  5F001AG22 ,  5F001AG30 ,  5F083EP01 ,  5F083EP22 ,  5F083EP32 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083ER22 ,  5F083ER30 ,  5F083GA21 ,  5F083GA29 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA31 ,  5F083JA32 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA56 ,  5F083MA01 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA10 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-213699   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-295698
  
• シリコン薄膜、シリコン単結晶粒子群及びそれらの形成方法、並びに、半導体装置、フラッシュメモリセル及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-088728   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-089992   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-116394   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭56-114333
  
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-213963   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタ型不揮発性半導体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-268297   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-276101   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-231408   Applicant：富士通株式会社
• 絶縁ゲート型電界効果半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-165886   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-277905   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-305966   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭58-215054
  
• 絶縁膜の作製方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-252844   Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Annealing characteristics of Si-rich SiO2 films