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J-GLOBAL ID：200903078332125308
重ね合わせ精度測定マーク、そのマークの欠陥修正方法、そのマークを有するフォトマスク、そのフォトマスクの製造方法およびその露光方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996114746
Publication number (International publication number)：1997074063
Application date： May. 09, 1996
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】 収差の影響を考慮した重ね合わせ精度測定マークを提供する。【解決手段】 第1の層に形成された第1半導体装置構成部材と、この第1半導体装置構成部材と同一の製造工程で形成された第1測定マーク100と、第1の層の上の第2の層に形成された第2半導体装置構成部材と、第1半導体装置構成部材と第2半導体装置構成部材との重ね合わせ精度を測定するために、第2半導体装置構成部材と同一の製造工程で形成された第2測定マーク200とを備え、第1測定マーク100は、第1半導体装置構成部材に光を照射したときと同じ収差の影響を受けるパターン100Aを有し、第2測定マーク200は、第2半導体装置構成部材に光を照射したときと同じ収差の影響を受けるパターン200を有している。
Claim (excerpt)：
半導体基板の上に、所定形状の半導体装置を構成するパターンが、複数層形成される半導体装置形成領域と、前記半導体装置を構成する前記各層の重ね合わせ精度を測定するための重ね合わせ精度測定マーク形成領域と、前記半導体装置形成領域において、第1の層に形成された第1半導体装置構成部材と、前記重ね合わせ精度測定マーク形成領域において、前記第1半導体装置構成部材と同一の製造工程で形成された第1測定マークと、前記半導体装置形成領域において、前記第1の層の上の第2の層に形成された第2半導体装置構成部材と、前記重ね合わせ精度測定マーク形成領域において、前記第1半導体装置構成部材と前記第2半導体装置構成部材との重ね合わせ精度を測定するために、前記第2半導体装置構成部材と同一の製造工程で形成された第2測定マークと、を備え、前記第1測定マークは、前記第1半導体装置構成部材に光を照射したときと同じ収差の影響を受けるパターンを有し、前記第2測定マークは、前記第2半導体装置構成部材に光を照射したときと同じ収差の影響を受けるパターンを有する、重ね合わせ精度測定マーク。
IPC (5)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00
, H05K 1/02
H01L 21/30 522 Z
, G03F 1/08 N
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00 H
, H05K 1/02 R
Cited by examiner (8)
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