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J-GLOBAL ID：200903078746211575

研磨排水の処理方法及び装置

Inventor： 葛西 輝彦
Applicant, Patent owner： オルガノ株式会社
Agent (1)： 三浦 進二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997276690
Publication number (International publication number)：1999090434
Application date： Sep. 25, 1997
Publication date： Apr. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 研磨排水を陽イオン交換体で処理した後、膜分離処理することにより、分離膜の目詰まりの虞を無くした研磨排水の処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 半導体基板としてのウェハや半導体デバイスの中間製品等の被研磨物の研磨工程から排出される研磨排水を分離膜(例えば、限外濾過膜や逆浸透膜)を用いて膜分離処理するに当たり、研磨排水を陽イオン交換体(好ましくは、H形の弱酸性陽イオン交換樹脂)と接触させてイオン交換処理した後に、膜分離処理する。限外濾過膜及び/又は逆浸透膜により膜分離処理して得られる処理水は、(超)純水製造装置に供給される原水として用いることもできる。

Claim (excerpt)：

研磨工程から排出される研磨排水を分離膜を用いて膜分離処理するに当たり、研磨排水を陽イオン交換体と接触させてイオン交換処理した後に膜分離処理することを特徴とする研磨排水の処理方法。

IPC (6)：

C02F 1/44 ,  B01D 61/02 500 ,  B01D 61/14 500 ,  C02F 1/42 ,  C09K 3/14 550 ,  H01L 21/304

FI (6)：

C02F 1/44 H ,  B01D 61/02 500 ,  B01D 61/14 500 ,  C02F 1/42 B ,  C09K 3/14 550 ,  H01L 21/304

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

• 特開平3-038211
  
• 特開平1-218602
  
• 特開平1-135580
  
• 半導体洗浄排水の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-176776   Applicant：栗田工業株式会社
• 有機アルカリを含む半導体洗浄排水の回収方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-176777   Applicant：栗田工業株式会社
• 水処理方法および水処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-208737   Applicant：シャープ株式会社
• ケミカルメカニカルポリッシング液の再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-115555   Applicant：旭化成工業株式会社
• 半導体ウエハ処理液の精製膜及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-319764   Applicant：日本ミリポア株式会社
• 純水製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-243407   Applicant：栗田工業株式会社
• 特開昭62-083086
  

Cited by examiner (3)

• 特開平3-038211
  
• 特開平1-218602
  
• 特開平1-135580