半導体発光素子および半導体発光装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998073867
Publication number (International publication number)：1999274558
Application date： Mar. 23, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】十分な寿命を有し、且つ青色や緑色など可視光の幅広い波長領域において発光波長を選択することができる半導体発光素子および半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】電流を注入して発光する第1の発光層と、第1の発光層からの光を吸収し、波長を変換して放出する第2の発光層を具備し、発光特性や素子寿命などの点で優れた半導体発光素子を提供する。すなわち、窒化ガリウム系半導体などの積層構造からなり、例えばGaNを第1の発光層とし、さらにこの発光層からの発光を吸収して光励起として発光するInGaN系などの第2の発光層を有することを特徴する。

Claim (excerpt)：

第1の発光層と第2の発光層とを備え、前記第1の発光層に電子と正孔とを注入してこれらの再結合により第1の波長の光を放出させ、前記第1の発光層から放出された前記第1の波長の光を前記第2の発光層に吸収させて前記第1の波長の光とは異なる第2の波長の光を放出させるようにしたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

発光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-067060 Applicant：富士通株式会社
2波長発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-169358 Applicant：三菱電線工業株式会社
発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-108117 Applicant：昭和電工株式会社

Show all

Return to Previous Page