半導体発光素子およびその製法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996109196
Publication number (International publication number)：1997298313
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】発光層で発光し、基板側に進む光も効率良く表面側に反射させて外部発光効率を向上させた高輝度の半導体発光素子およびその製法を提供する。【解決手段】基板11上に発光層14を有し、該発光層の前記基板と反対側に光を放射する半導体発光素子であって、前記基板が前記発光層で発光する光に対して透明または半透明の材料からなり、該基板の前記発光層とは反対側の面に光反射膜17が設けられたチップがボンディングされている。

Claim (excerpt)：

基板上に発光層を有し、該発光層の前記基板と反対側に光を放射する半導体発光素子であって、前記基板が前記発光層で発光する光に対して透明または半透明の材料からなり、該基板の前記発光層とは反対側の面に光反射膜が設けられたチップがボンディングされてなる半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313977 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-222627 Applicant：旭化成工業株式会社
発光デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-263783 Applicant：日亜化学工業株式会社

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