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J-GLOBAL ID:200903078824685465

電子デバイス、電子デバイスを有する半導体デバイス、及び電子デバイスを製造する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 津軽 進 ,  宮崎 昭彦 ,  青木 宏義
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002541790
Publication number (International publication number):2004514316
Application date: Nov. 06, 2001
Publication date: May. 13, 2004
Summary:
本発明は、接続領域4及び5を持つSAW(=Surface Acoustic Wave(表面音波))フィルタ2及び3のような電子コンポーネント2及び3を有する電子デバイスに関する。フィルタ2及び3は、フィルタ2及び3の上のキャビティ7を形成するカバー6によって環境からシールされている。本発明によれば、カバー6は、フィルタ2及び3の位置において開口部7’を備えると共に開口部7’を閉じるフォトレジスト層6Bでカバーされるラッカー層6Aによって形成されるので、このように形成されるキャビティ7はフィルタ2及び3の上のあらゆるところで零よりも厚い厚さを持つ。これによりフィルタ2及び3による正確かつ安定した周波数選択が可能となり、本発明によるデバイスは非常にコンパクトになると共に容易に製造することが可能になる。従って、本発明によるデバイスは、半導体デバイスを用いた前記デバイスの集積後においてもモバイル電話のような用途における使用に著しく適している。フォトレジスト層6B及びラッカー層6Aは、バンプ9、好ましくは半田バンプ9を備えている接続領域4及び5の位置において、好ましくは他の開口部8を含んでいる。好ましくは、フォトレジスト層6Bは、半田をはじくソリッドホイル6Bを有している。本発明は、本発明による前記デバイスが集積される半導体デバイスばかりでなく本発明による前記デバイスを製造する方法も有している。
Claim (excerpt):
少なくとも一つの電子コンポーネントが位置される基板を含む基体を有し、前記電子コンポーネントが一つ又はそれ以上の接続領域に接続されると共に前記コンポーネント上のカバーによって環境からシールされ、前記カバーが前記基板上に設けられると共に前記コンポーネントの上にキャビティを形成し、前記カバーが前記基板上に位置されると共に前記コンポーネントの位置において開口部を備える第一の基体を有し、前記カバーが前記第一の基体上に位置されると共に前記開口部を閉じる第二の基体を有する電子デバイスにおいて、前記第一の基体がラッカー層を有し、前記第二の基体がフォトレジスト層を有し、前記フォトレジスト層の厚さ及び材質と共に前記開口部の横寸法は、前記コンポーネントの表面に渡って前記キャビティの厚さが零より厚くなるように選択されることを特徴とする電子デバイス。
IPC (8):
H03H9/25 ,  H01L21/60 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02 ,  H03H9/64
FI (8):
H03H9/25 A ,  H03H3/08 ,  H03H9/02 L ,  H03H9/64 A ,  H01L21/92 602L ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/22 Z
F-Term (18):
5J097AA29 ,  5J097AA30 ,  5J097AA31 ,  5J097BB11 ,  5J097EE08 ,  5J097EE10 ,  5J097GG03 ,  5J097HA03 ,  5J097HA04 ,  5J097JJ09 ,  5J097KK09 ,  5J097KK10 ,  5J108AA07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC04 ,  5J108GG03 ,  5J108HH03 ,  5J108KK01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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