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J-GLOBAL ID:200903079040595601

炭素系材料のエッチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤巻 正憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000255682
Publication number (International publication number):2002075960
Application date: Aug. 25, 2000
Publication date: Mar. 15, 2002
Summary:
【要約】【課題】 特別な加熱を必要とせず、極めて良好な平坦性及びマスク選択比を保ち、且つマスク形状に忠実な形状及び高いエッチング速度を得ることができる炭素系材料のエッチング方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド上のエッチングすべき部分以外の領域をSi酸化物からなるマスクにより被覆し、対向電極又は反応容器を基準として陰極に500V以上、好ましくは1000V以上の高周波電位を印加して、O2、Ar、又はO2及びArの混合ガスから生成したプラズマにダイヤモンドを曝してダイヤモンドをエッチングする。
Claim (excerpt):
被エッチング材上のエッチングすべき部分以外の領域を酸素プラズマ耐性材料からなるマスクにより被覆する工程と、対向電極又は反応容器を基準として陰極に500V以上の高周波電位を印加し、酸素原子を含有する気体から生成したプラズマに前記被エッチング材を曝して前記被エッチング材をエッチングする工程と、を有することを特徴とする炭素系材料のエッチング方法。
F-Term (13):
5F004AA04 ,  5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB00 ,  5F004EA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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