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J-GLOBAL ID:200903079040595601
炭素系材料のエッチング方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤巻 正憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000255682
Publication number (International publication number):2002075960
Application date: Aug. 25, 2000
Publication date: Mar. 15, 2002
Summary:
【要約】【課題】 特別な加熱を必要とせず、極めて良好な平坦性及びマスク選択比を保ち、且つマスク形状に忠実な形状及び高いエッチング速度を得ることができる炭素系材料のエッチング方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド上のエッチングすべき部分以外の領域をSi酸化物からなるマスクにより被覆し、対向電極又は反応容器を基準として陰極に500V以上、好ましくは1000V以上の高周波電位を印加して、O2、Ar、又はO2及びArの混合ガスから生成したプラズマにダイヤモンドを曝してダイヤモンドをエッチングする。
Claim (excerpt):
被エッチング材上のエッチングすべき部分以外の領域を酸素プラズマ耐性材料からなるマスクにより被覆する工程と、対向電極又は反応容器を基準として陰極に500V以上の高周波電位を印加し、酸素原子を含有する気体から生成したプラズマに前記被エッチング材を曝して前記被エッチング材をエッチングする工程と、を有することを特徴とする炭素系材料のエッチング方法。
F-Term (13):
5F004AA04
, 5F004AA05
, 5F004BA20
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DA30
, 5F004DB00
, 5F004EA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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試料の表面処理方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-036226
Applicant:株式会社日立製作所
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硬質カーボン膜のパターニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-072772
Applicant:シチズン時計株式会社
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ダイヤモンド薄膜のECRプラズマエッチング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-147947
Applicant:株式会社神戸製鋼所
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特開平2-071518
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ダイヤモンドのエッチング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-278548
Applicant:住友電気工業株式会社
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絶縁膜ならびにその絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-148017
Applicant:日本電気株式会社
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銅薄膜のプラズマエッチング法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-111866
Applicant:ソニー株式会社
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特開昭63-220524
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