半導体レーザ素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002323627
Publication number (International publication number)：2003289175
Application date： Nov. 07, 2002
Publication date： Oct. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】活性層にAlを含んでいなくても、より高い光出力を実用的な動作時間出すことができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】多重量子井戸活性層3は、2層の量子井戸層3aと、各量子井戸層3aの両側に設けられた障壁層3bとを有している。上記量子井戸層3aはIn<SB>1-v1</SB>Ga<SB>v1</SB>As<SB>1-w1</SB>P<SB>w1</SB>結晶からなり、障壁層3bはIn<SB>1-v2</SB>Ga<SB>v2</SB>As<SB></SB><SB>1-w2</SB>P<SB>w2</SB>結晶からなる。ここで、v1,v2はv1<v2を満たし、w1,w2はw1<w2を満たす。また、障壁層3bはGaAs基板に対して引っ張り歪を有し、量子井戸層3aはGaAs基板に対して圧縮歪を有する。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板上に、III-V族化合物半導体からなる第1導電型の第1クラッド層、活性層及び第2導電型の第2クラッド層がこの順序で形成され、上記活性層は、井戸層と、この井戸層よりエネルギーバンドギャップが大きくて上記井戸層を挟む障壁層とを有する半導体レーザ素子において、上記井戸層及び上記障壁層は、V族元素としてP及びAsを有し、III族元素としてGa及びInを有し、上記障壁層のV族元素におけるPの割合が、上記井戸層のV族元素におけるPの割合より大きく、上記障壁層のIII族元素におけるInの割合が、上記井戸層のIII族元素におけるInの割合より小さく、上記障壁層は上記GaAs基板に対して引っ張り歪を有し、上記井戸層は上記GaAs基板に対して圧縮歪を有し、発振波長が略780nmであることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 , H01S 5/227

FI (2)：

H01S 5/343 , H01S 5/227

F-Term (15)：

5F073AA13 , 5F073AA20 , 5F073AA45 , 5F073AA46 , 5F073AA51 , 5F073AA53 , 5F073AA74 , 5F073AA86 , 5F073AA89 , 5F073BA06 , 5F073CA13 , 5F073DA35 , 5F073EA24 , 5F073EA28 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-070859 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (8)

半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-222171 Applicant：富士写真フイルム株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-257881 Applicant：シャープ株式会社
光半導体素子、光半導体素子の製造方法及びその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-195237 Applicant：日本電気株式会社

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