半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070859
Publication number (International publication number)：1999274644
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体発光素子の動作電圧を低減し、特性劣化を防ぐ。【解決手段】光ガイド層104、106が、活性層105に近い側から不純物希少領域132、142と不純物中間濃度領域131、141と不純物添加領域130、140とを有する。

Claim (excerpt)：

活性層と、該活性層の上下に設けられたクラッド層とを有する半導体発光素子において、少なくとも一方のクラッド層が、不純物希少領域と不純物添加領域とを有し、該不純物希少領域が該活性層に近い側に配されている半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-077811 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-330332 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-074487

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