半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997307667
Publication number (International publication number)：1999087545
Application date： Nov. 10, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】消去電圧などの動作電圧について低電圧化が可能であり、低コスト化が可能である半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ガラスあるいはプラスチックからなる絶縁性基板10上に形成されたチャネル形成領域を有する半導体層31bと、半導体層上に形成された電荷蓄積層32aと、電荷蓄積層の上方に形成されたコントロールゲート33aと、チャネル形成領域に接続して形成されたソース・ドレイン領域とを有し、メモリトランジスタとなる薄膜トランジスタが形成されている構成とする。

Claim (excerpt)：

電荷蓄積層を有するメモリトランジスタが接続された半導体不揮発性記憶装置であって、ガラスあるいはプラスチックからなる絶縁性基板上に形成されたチャネル形成領域を有する半導体層と、前記半導体層上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層の上方に形成されたコントロールゲートと、前記チャネル形成領域に接続して形成されたソース・ドレイン領域とを有し、前記メモリトランジスタとなる薄膜トランジスタが形成されている半導体不揮発性記憶装置。

IPC (5)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 613 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-231408 Applicant：富士通株式会社
不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-233928 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-009960 Applicant：株式会社メガチップス

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