Pat
J-GLOBAL ID：200903080067028014

モールド装置、モールド方法、モールドされた半導体装置の切断方法及び半導体装置の作製方法

Inventor：
高尾 大輔

About 高尾 大輔


Applicant, Patent owner：
アオイ電子株式会社

About アオイ電子株式会社


Agent (1)： 澁谷 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998198201
Publication number (International publication number)：2000025074
Application date： Jul. 14, 1998
Publication date： Jan. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置の製造工程を簡素化できる半導体素子のモールド装置及びモールドされた半導体装置の切断方法を提供する。【解決手段】 モールドされる複数の半導体素子を切断刃で切断して分離できる間隔をおいて配設した絶縁基板をモールド装置の一つのキャビティ内に収容し、該キャビティ内にモールド材を加熱圧入し、一括してモールドされた複数の半導体装置からなるモールド体25を切断刃50にて個々の半導体装置に切断する。一個のキャビティを有する金型を備えたモールド装置で複数の半導体素子を一括モールドし、このモールド体を回転切断刃で切断するので、モールド装置及び切断装置の構造が簡単になり、半導体装置の製造工程を簡素化できる。
Claim (excerpt)：
モールドされる複数の半導体素子を切断刃で切断して分離できる間隔をおいて配設した絶縁基板を収容し、一括してモールドするキャビティを備えることを特徴とするモールド装置。
IPC (8)：
B29C 45/26 ,  B26D 1/14 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/78 ,  B29L 31:54
FI (7)：
B29C 45/26 ,  B26D 1/14 Z ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  H01L 21/56 T ,  H01L 21/78 F ,  H01L 21/80
F-Term (20)：
3C027QQ00 ,  4F202AH33 ,  4F202CA12 ,  4F202CB17 ,  4F202CK11 ,  4F202CK89 ,  4F202CS10 ,  4F206AH33 ,  4F206JA02 ,  4F206JB17 ,  4F206JF01 ,  4F206JF23 ,  4F206JQ81 ,  4F206JW23 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DA01 ,  5F061DA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM