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J-GLOBAL ID:200903074198091544
発光素子およびその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
宮園 博一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004065489
Publication number (International publication number):2005259768
Application date: Mar. 09, 2004
Publication date: Sep. 22, 2005
Summary:
【課題】光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子を提供する。【解決手段】この発光素子は、光出射面11とは反対側に設置された導電性の支持基板1と、支持基板1に接合され、光出射面11に対して所定の角度傾斜した側面9aを有する窒化物系半導体素子層9とを備えている。【選択図】図1
Claim (excerpt):
光出射面とは反対側に設置された支持基板と、
前記支持基板に接合され、少なくとも前記光出射面に対して所定の角度傾斜した側面を有する半導体素子層とを備えた、発光素子。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (10):
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA83
, 5F041CB36
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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青色発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-055074
Applicant:日亜化学工業株式会社
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半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-128987
Applicant:ヒューレット・パッカード・カンパニー
Cited by examiner (11)
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LEDチップ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-154335
Applicant:松下電工株式会社
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発光半導体素子
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-579374
Applicant:オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
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共振空洞発光デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-249759
Applicant:ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
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窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-113353
Applicant:シャープ株式会社
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窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-148470
Applicant:日亜化学工業株式会社
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半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-222090
Applicant:住友電気工業株式会社
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スーパールミネセント吸収端発光デバイスおよびそのデバイスを形成する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-211108
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-160696
Applicant:信越半導体株式会社
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半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-351646
Applicant:株式会社東芝
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特開平4-042582
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特開平4-029374
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