Pat
J-GLOBAL ID：200903006342474091

半導体光素子及びその製造方法

Inventor：
琵琶 剛志

About 琵琶 剛志


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003289340
Publication number (International publication number)：2005057220
Application date： Aug. 07, 2003
Publication date： Mar. 03, 2005
Summary：
【課題】 光取り出し効率、又は光吸収効率が高められた半導体光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1から剥離されたn型GaN層5の下面7を、ボイド6と、凸部3を構成していたGaN層2の一部を基板1から剥離してなる剥離面3bとにより構成する。下面7は、略平坦面とされる剥離面3bと剥離面3bに対して窪んだ形状を有するボイド6とによって構成される非平坦面であることから、発光層とされるInGaN層8で発生した光が下面7によって殆ど全反射されることがなく、素子の光取り出し効率を高めることが可能となる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
基板上に結晶層を成長させることによって形成される半導体光素子であって、 前記基板に形成された凹部で前記結晶層が会合することによって当該結晶層に形成される欠陥部を含む非平坦面を有すること を特徴とする半導体光素子。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (2)：
H01L33/00 A ,  H01L33/00 C
F-Term (24)：
5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA10 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA32 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA04 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (10)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM