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J-GLOBAL ID：200903080431584033

レーザエッチング方法及びレーザエッチング装置

Inventor：
小出 純

About 小出 純


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000360613
Publication number (International publication number)：2001219290
Application date： Nov. 28, 2000
Publication date： Aug. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】無機材料からなる被加工物のレーザエッチングにおいて、エッチング位置周辺に加工副産物が付着しないように加工することができ、さらにはマイクロマシン、またはICおよびダイオードデバイス等の材料を微細加工することができるレーザエッチング方法及びレーザエッチング装置を提供する。【解決手段】フェムト秒レーザから放射されたレーザ光を、前記無機材料からなる被加工物に照射することによって、光アブレーション加工するレーザエッチング方法または装置であって、前記レーザ発振器から放射されたレーザ光を、所定のパターン、所定エネルギー密度にて、前記無機材料からなる被加工物に照射して前記被加工物をレーザエッチングするに際し、エッチング位置周辺に加工副産物が付着しないようにして加工する。
Claim (excerpt)：
1ピコ秒以下のパルス放射時間で空間的時間的なエネルギー密度の大きい光パルスを連続放射するレーザ発振器からのレーザ光を、無機材料からなる被加工物に照射することによって、光アブレーション加工するレーザエッチング方法であって、前記レーザ発振器から放射されたレーザ光を、所定のパターン、所定エネルギー密度にて、前記無機材料からなる被加工物に照射して前記被加工物をレーザエッチングするに際し、エッチング位置周辺に加工副産物が付着しないようにする手段を用いて加工することを特徴とするレーザエッチング方法。
IPC (4)：
B23K 26/16 ,  B23K 26/12 ,  B23K 26/14 ,  H01S 3/00
FI (4)：
B23K 26/16 ,  B23K 26/12 ,  B23K 26/14 A ,  H01S 3/00 B
F-Term (13)：
4E068AH00 ,  4E068CA03 ,  4E068CG01 ,  4E068CG05 ,  4E068CH08 ,  4E068CJ01 ,  4E068CJ07 ,  4E068CJ09 ,  5F072AA05 ,  5F072JJ20 ,  5F072RR01 ,  5F072SS08 ,  5F072YY08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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