Pat
J-GLOBAL ID：200903080625855500

強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法

Inventor：
田村 博明

About 田村 博明

, 
鶴田 修司

About 鶴田 修司


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006069095
Publication number (International publication number)：2007250631
Application date： Mar. 14, 2006
Publication date： Sep. 27, 2007
Summary：
【課題】信頼性の高い強誘電体メモリ装置を提供する。【解決手段】本発明の強誘電体メモリ装置は、第1電極32と第2電極36との間に強誘電体層34を有してなる強誘電体キャパシタ30を備え、前記第2電極36に接続される配線44を有し、前記配線44が、(111)面方位に配向を有する窒化チタンからなる第1配線層41と、当該第1配線層41上に形成され、(111)面方位に配向を有する窒化チタンアルミニウムからなる第2配線層42と、を含むことを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1電極と第2電極との間に強誘電体層を有してなる強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置であって、 前記第1電極又は前記第2電極に接続される配線を有し、 前記配線が、(111)面方位に配向を有する窒化チタンからなる第1配線層と、当該第1配線層上に形成され、(111)面方位に配向を有する窒化チタンアルミニウムからなる第2配線層と、を含むことを特徴とする強誘電体メモリ装置。
IPC (4)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320
FI (2)：
H01L27/10 444B ,  H01L21/88 R
F-Term (39)：
5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033LL07 ,  5F033LL09 ,  5F033MM05 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR04 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW04 ,  5F033XX10 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-317983   Applicant：富士通株式会社
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM