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J-GLOBAL ID：200903080837541530

誘導結合プラズマ処理装置

Inventor：
里吉 務

About 里吉 務


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002212562
Publication number (International publication number)：2004055895
Application date： Jul. 22, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】誘電体壁の支持部分を大きすることなく、しかも誘電体壁を厚くすることなく、誘電体壁を含む、処理室とアンテナ室との間を仕切る仕切構造の撓みを抑制することができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】基板Gにプラズマ処理を施す処理室4と、処理室4内に処理ガスを供給する処理ガス供給系20と、処理室4内を排気する排気系30と、処理室4の上部壁を構成する誘電体壁2と、誘電体壁2の上方に設けられた高周波アンテナ15と、処理室4の上方に設けられ、誘電体壁2によって底壁が形成され、高周波アンテナ15を収容するアンテナ室3と、アンテナ室3を複数の小室6に仕切り、アンテナ室3の側壁3aに支持される垂直壁5とで誘導結合プラズマ処理装置が構成される。誘電体壁2は、複数の小室6に対応して複数に分割され、誘電体壁2の各分割片2aはアンテナ室3の側壁3aと垂直壁5とで支持される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
気密に保持され、被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、 前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、 前記処理室内を排気し、前記処理室内を減圧状態にする排気系と、 前記処理室の上部壁を構成する誘電体壁と、 前記誘電体壁の上方に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、 前記処理室の上方に設けられ、前記誘電体壁によって底壁が形成され、前記高周波アンテナを収容するアンテナ室と、 前記アンテナ室を複数の小室に仕切り、前記アンテナ室の側壁に支持される垂直壁と を具備し、 前記誘電体壁は、前記複数の小室に対応して複数に分割され、前記誘電体壁の各分割片は前記アンテナ室の側壁と前記垂直壁とで支持されることを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L21/3065 ,  H01L21/205
FI (2)：
H01L21/302 101C ,  H01L21/205
F-Term (22)：
5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AE17 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF02 ,  5F045EF03 ,  5F045EH11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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