不揮発性メモリーセル、メモリーセルアレイおよび不揮発性メモリーセルの製造方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004547433
Publication number (International publication number)：2006504278
Application date： Oct. 29, 2003
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

本発明は、不揮発性メモリーセル、メモリーセルアレイおよび不揮発性メモリーセルの製造方法に関するものである。不揮発性メモリーセルは、チャネル領域として設計されたナノ素子を有する垂直電界効果トランジスタと、ナノ素子を少なくとも部分的に取り囲む、電荷蓄積層として、および、ゲート絶縁層としての電気絶縁層とを備えている。この電気絶縁層は、電気的な電荷担体をその内部に選択的に注入でき、または、その内部から除去できるように設計されており、電気絶縁層に注入された電気的な電荷担体によって、ナノ素子の導電性に特徴的に影響を及ぼすように設計されている。

Claim (excerpt)：

チャネル領域として設計されているナノ素子を有する垂直電界効果トランジスタと、電荷蓄積層およびゲート絶縁層として上記ナノ素子を少なくとも部分的に取り囲む電気絶縁層とを有し、上記電気絶縁層が、電気的な電荷担体が、その内部への注入、または、その内部からの除去が選択的に可能になるように設計されており、ナノ素子の導電性が、上記電気絶縁層に注入された電気的な電荷担体によって、特有の影響を受けるように設計されている、不揮発性メモリーセル。

IPC (9)：

H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , C01B 31/02 , H01L 27/10 , H01L 29/06 , H01L 27/115 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (10)：

H01L29/78 371 , C01B31/02 101F , H01L27/10 451 , H01L29/06 601N , H01L27/10 434 , H01L29/78 613B , H01L29/78 618B , H01L29/78 617K , H01L29/78 617S , H01L29/78 626A

F-Term (63)：

4G146AA07 , 4G146AA11 , 4G146AA16 , 4G146AB05 , 4G146AD17 , 4G146AD28 , 4G146AD30 , 4G146BC09 , 4G146BC42 , 5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083ER03 , 5F083ER21 , 5F083GA09 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA31 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR21 , 5F083PR40 , 5F101BA43 , 5F101BA45 , 5F101BA47 , 5F101BC02 , 5F101BD01 , 5F101BD16 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F110AA04 , 5F110BB08 , 5F110CC09 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE24 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF10 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG22 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-246712 Applicant：株式会社東芝
MOS型半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-272970 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-157273 Applicant：株式会社東芝, 大見忠弘

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